罗马与恩波利足球比分预测:關于捷捷

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      江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家專業從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會先進會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。公司具備一流的技術創新能力、良好的市場信譽和業務網絡,是國內電力半導體器件領域中,晶閘管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆蓋了整個芯片產業鏈,集芯片設計,制造和封裝測試一體)的半導體廠商。公司“捷捷”牌產品已銷往日本、韓國、西班牙、新加坡、臺灣等國家和地區,可靠的質量得到了用戶的充分肯定。

 

        企業現有注冊資金179,742,660元。公司主導產品為(0.6~110)A/600-1600V雙向可控硅、(0.8~250)A/600-2200V單向可控硅、低結電容放電管、TVS等各類?;て骷?、高壓整流二極管、功率型開關晶體管。公司擁有五條半導體功率器件產品線。

        1.φ4英寸可控硅器件芯片生產線,主導產品:(0.6~110)A/600-1600V雙向可控硅(TRIACs),(0.8~250)A/600-2000V單向可控硅(SCRs),功率型開關晶體管,達林頓晶體管;
 

        2.φ4英寸防護器件芯片生產線,主導產品:低結電容放電管、高壓觸發二極管、TVS、ESD等各類防護器件;

        3.φ4英寸快恢復二極管器件芯片生產線,主導產品:快恢復二極管、高壓整流二極管等;

        4.三極體器件封裝和測試生產線,器件封裝形式:TO-92、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、DPAK、iPAK、D2PAK、TO-220A insulated、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-247、TO-247 Super、TO-P3 insulated等。

        5.二極體器件封裝和測試生產線,器件封裝形式:SMA、SMB、SMC、SOD123、SOD323、SOD523等。

        公司先后通過ISO9001:2008質量管理體系、ISO14001:2004環境管理體系、OHSAS18001職業健康安全體系、QC080000有害物質過程管理體系認證,目前正在推行ISO/TS 16949。產品符合UL電氣絕緣性要求、RoHS環保要求、Reach化學品注冊、評估、許可和限制要求、無鹵化等要求。

       “邊門極結構的高壓大電流單向晶閘管器件芯片”、“臺面工藝結構可控硅芯片”、“具有150℃高結溫性能雙向晶閘管芯片”等18個產品被評定為江蘇省高新技術產品;“低結電容過壓?;ぞд⒐芷骷?rdquo; 獲得南通市科學技術進步二等獎、“新型門極靈敏觸發單向可控硅芯片”獲得南通市科學技術進步三等獎。

        公司自成立以來,一直從事半導體分立器件、電力電子器件的研發、生產和銷售。企業在大力開展技術創新的同時,非常注重自主知識產權的創造與?;すぷ?。公司現共獲得授權專利53項,其中發明專利15項,實用型新專利37項;外觀專利1項。公司擁有江蘇省高新技術產品19項。


        以江蘇捷捷微電子股份有限公司為依托的江蘇省工程技術研究中心,負責公司新產品、新工藝技術開發和技術改造。中心擁有實踐經驗豐富的工程研究帶頭人;中心有健全的人才激勵、知識產權?;さ裙芾碇貧?可以有效地激發中心人員技術研發的積極性。在自主研發的同時,公司加強與企業、大學及科研院所的合作,大力開發具有自主知識產權的關鍵技術,形成自主的核心技術和專有技術,加快科技成果產業化步伐。公司與西安電子科技大學等知名院校建立產學研合作關系,掌握了一批具有自主知識產權的核心技術,有力地保證了公司研發活動順利開展,為實現半導體系列產品技術領先戰略提供了技術儲備和支撐。

 


 

       捷捷半導體有限公司是江蘇捷捷微電子股份有限公司于2014年9月在南通成立的全資子公司,注冊資本40000萬元人民幣,主要從事半導體分立器件和半導體集成電路研發設計、制造、銷售及技術咨詢服務等。

 

        捷捷半導體有限公司共計劃投建四條生產線及三條新產品研發線,一個產品性能檢測和試驗站,可形成年產90萬片半導體分立器件芯片及11.48億只半導體分立器件生產能力。其中:電力(功率)半導體器件芯片生產線1條,配套成品封裝線1條。年產出4英寸圓片42萬片,用于公司生產各類電力電子器件芯片45,850萬只,自封裝電力電子器件4.28億只;半導體防護器件芯片生產線1條,配套成品封裝線1條。年產出4英寸圓片48萬片,用于公司生產各類半導體防護器件芯片76,600萬只,自封裝半導體防護器件7.2億只;三條新產品研發試驗線和一個產品性能檢測和試驗站,包括超快恢復功率二極管研發試驗線、功率MOSFET、IGBT研發試驗線、碳化硅器件研發試驗線。